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계산전자공학 입문
- 저자
- 홍성민 저
- 출판사
- GIST PRESS(광주과학기술원)
- 출판일
- 2025-04-03
- 등록일
- 2026-01-23
- 파일포맷
- PDF
- 파일크기
- 11MB
- 공급사
- YES24
- 지원기기
-
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책소개
『계산전자공학 입문』은 반도체 소자를 제조하는 과정에서 필요한 중요한 공정들에 대한 시뮬레이션 기법들을 설명하며 산화 공정, 확산 공정, 이온 주입 공정의 기본 원리들을 소개하고 이들을 컴퓨터 시뮬레이션으로 다루어 본다. 아울러 박막 증착 공정과 식각 공정을 위한 공정 에뮬레이션을 간단히 소개한다. 계산전자공학 분야의 특성상, 실제 수치해석 프로그램을 작성하는 것이 필수적이므로, 이에 대한 적절한 수준의 실습 예제들을 제시하여 피상적인 이해를 뛰어넘을 수 있도록 하였다.
저자소개
2001년과 2007년에 서울대학교에서 학사 학위와 박사 학위를 받았다. 독일 뮌헨 연방군 대학교에서 박사후 연구원으로 일한 이후에, 2011년부터 2013년까지 미국 캘리포니아주 산호세에 있는 삼성 연구소에서 일했다. 2013년에 광주과학기술원에 부임하여 현재 부교수로 재직중이다. 연구 주제는 반도체 소자 시뮬레이션이며, IEEE Transactions on Electron Devices의 Associate Editor로 활동하고 있다.
목차
머리말감사의 글주요 표기법주요 상수들CHAPTER 01 서 론1.1 계산전자공학에 대하여1.2 공정 시뮬레이션에서 다루는 범위1.3 구조의 표현1.4 역사적인 발전CHAPTER 02 2차원/3차원 구조, 과도 응답, 희소 행렬2.1 들어가며2.2 2차원/3차원 구조2.3 Laplace 방정식의 구현2.4 과도 응답2.5 희소 행렬CHAPTER 03 산화 공정3.1 들어가며3.2 산화 공정의 원리3.3 Deal-Grove 모델의 유도3.4 Deal-Grove 모델의 수치해석적 구현3.5 1차원 부피 팽창3.6 Deal-Grove 모델의 2차원 확장3.7 산화 공정 시뮬레이션CHAPTER 04 확산 공정4.1 들어가며4.2 확산 공정의 원리4.3 단순한 확산 시뮬레이션4.4 경계 조건4.5 2차원 확장4.6 여러 종류의 불순물 확산4.7 전기장 효과4.8 발전된 확산 시뮬레이션 기법들CHAPTER 05 이온 주입 공정5.1 들어가며5.2 이온 주입의 원리5.3 주입된 이온의 분포에 대한 해석적인 식들5.4 Monte Carlo 기법5.5 Monte Carlo 기법의 적용 예CHAPTER 06 공정 에뮬레이션6.1 들어가며6.2 공정 에뮬레이션의 필요성6.3 Level-set 함수6.4 Level-set 방정식6.5 발전된 공정 에뮬레이션 기법들CHAPTER 07 MOSFET 공정7.1 들어가며7.2 서울대학교 반도체공동연구소 0.25 마이크론 CMOS 공정7.3 공정 시뮬레이션CHAPTER 08 마무리8.1 요약8.2 다루지 못한 관련 주제들참고문헌찾아보기지은이 소개